利用硒化钨材料制作发光器件
博信光学元件超市 / 2018-06-22
通常情况下，二极管是由“掺杂”制成的，这是将其他原子注入到基质材料晶体结构的工艺。通过使用不同材料，这种不可逆过程有可能制备两种基本半导体材料类型，P型或N型。美国麻省理工学院研究团队利用硒化钨这类单分子厚的材料把难以察觉的薄膜融入非常接近的相邻金属电极之间，并将电极电压从正调谐到负，即可以获得P型或N型材料功能。这意味着可以很容易和很快将材料从一种类型转换到另一类型，对于传统半导体材料这是难以做到的。根据物理原理，因为这种材料可以设计成不同宽度的光子带隙，将有可能制备产生任意颜色的LED，而采用以往传统材料很难制出全色彩的LED。
美国麻省理工学院研究团队在实验室制备出半n型和半p型掺杂硒化钨材料制备的器件，开发出其特征接近理想工作状态的二极管。通过制作二极管，将有可能制备3种基本光电器件——光电探测器、光伏电池和发光二极管。
由于硒元素不像硅元素或其它电子材料那样充裕，材料的薄度成为一大优势。硒化钨薄膜比传统二极管材料薄数千倍，所以制备给定尺寸的器件可以节省数千倍的材料。研究团队除了制备出二极管，也用同样方法制备出p型和n型晶体管和其他电子元件。因为材料如此之薄，这种晶体管在速度和功耗上有显著优势。
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