博信光学超市 / 2018-02-23
美国科学家利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制造出了所需的薄片,该薄片厚度仅为三个原子的二硫化钼半导体薄膜,其不仅身材纤细,而且拥有优异的电学属性,可广泛用来制造各种超薄的电子设备。
康奈尔大学应用和工程物理学教授戴维·穆勒领导的研究人员借助先进的透射电子显微镜,在薄膜生长时,对薄膜的质量和性能进行了测试。研究结果表明,这种厚度仅为三个原子的半导体薄膜可与二氧化硅逐层堆积在一起,从而制成多层且超级纤薄的电子设备。
研究人员还对MOCVD方法稍作修改,制造出了拥有不同电学属性和颜色的二硫化钨薄膜,他们希望能进一步改进这一方法,制造出仅为数个原子厚度的其他薄膜,并最终制造出新奇的电子设备和光电设备。