EUV光刻技术
博信光学元件超市 / 2018-07-18
一块芯片能容纳的晶体管数量每隔几年就可以翻番，但这一趋势目前似乎已到穷途末路。解决方案之一是借用EUV光刻技术将更小的晶体管蚀刻在微芯片上，即用超短波长的光在现有微芯片上制造比目前精细4倍的图案。芯片上的集成电路图案是通过让光透过一个遮蔽物照射在一块涂满光阻剂的硅晶圆上制成，目前只能采用深紫外光刻技术制造出22纳米宽的图案。
在芯片上蚀刻更小图案的唯一方式是使用波长更短的光波。通过将波长缩短到13.5纳米，芯片上的图案可缩小到5纳米或更小。然而几乎所有的材料（包括空气）都会吸收波长短到13.5纳米的光，因此，这个过程需要在真空中进行。而且因为这种光无法由传统的反射镜和透镜所引导，需要另外制造专用的反射镜，但即使这些专用反射镜也会吸收很多EUV光，因此，这种光必须非常明亮。
为了实现这一情况英特尔公司已经加大投资，用于加速450毫米晶圆技术、EUV光刻技术的研发，推动硅半导体工艺的进步。
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